Новую структуру магнитного материала создали российские физики из ФИАН. Им удалось сформировать на слоистом антиферромагнитном кристалле область с ферромагнитным упорядочением и почти без дефектов на границе. Об этом сообщает ТАСС.
Подход интересен для спинтроники, где наряду с электрическим зарядом используется спин электрона. Такие приборы рассматриваются как способ повысить быстродействие вычислительной электроники при меньших затратах энергии.
Различие двух материалов связано с расположением магнитных моментов. В ферромагнетике они обеспечивают заметную намагниченность, а в антиферромагнетике соседние направления взаимно компенсируются.
По оценке академика Владимира Пудалова, сочетание этих свойств открывает возможности для устойчивых наномасштабных устройств. Результаты научной группы опубликованы в журнале Physical Review Materials.