CXMT вывела на серийную стадию новую технологическую основу для производства памяти DRAM. Платформа пятого поколения должна снизить затраты и расход энергии при выпуске более сложных микросхем.
Инженеры использовали метод четырехкратного паттернинга и довели шаг элементов ячейки до 11,95 нм. Более плотное размещение увеличивает объем данных на одном чипе и выход продукции с пластины.
Вместе с объявлением компания показала пару 24-гигабитных устройств LPDDR5X. Презентация прошла на Всемирной производственной конференции, а целевыми устройствами названы телефоны и переносная электроника.
Емкость новинок на 50% превосходит предыдущее поколение. Количество пригодных кристаллов, которое может быть произведено на одной кремниевой пластине, выросло не менее чем наполовину.
Как пишет Reuters, разработка опиралась на компьютерное моделирование и сотрудничество с поставщиками оборудования из Китая. CXMT конкурирует в сегменте, где доминируют Samsung, SK Hynix и Micron.