Компания CXMT перевела свою технологическую платформу памяти DRAM пятого поколения в серийное производство. Решение рассчитано на повышение мощности при снижении стоимости и энергопотребления.
Новый процесс формирует более плотные структуры с шагом 11,95 нанометра. Для этого применяется метод четырехкратного нанесения рисунка, а характеристики производитель сравнил с современными промышленными техпроцессами.
Первыми изделиями стали две версии 24-гигабитной памяти LPDDR5X. По данным Reuters, объем хранимой ими информации на 50% превышает показатель предыдущих сопоставимых микросхем.
При сравнении с платформой четвертого поколения новая технология дает не менее чем на половину больше валовых кристаллов на пластину, если исходить из восьмигигабитного варианта. Речь идет о числе заготовок до исключения дефектных элементов.
CXMT сообщила, что при создании платформы использовала программное моделирование и сотрудничала с местными поставщиками оборудования. Выпуск усиливает ее позиции рядом с Samsung, SK Hynix и Micron на рынке оперативной памяти.