Samsung обошел конкурентов и получил президентскую награду за GDDR7

Южнокорейский технологический гигант Samsung удостоился высокой государственной награды за свои последние достижения в области полупроводников. На прошедшем в Сеуле профильном фестивале компания получила президентскую премию за разработку чипа памяти стандарта GDDR7. Речь идет о модуле объемом 3 Гбайт, который способен работать на эффективной частоте 40 ГГц. 

Представленная осенью разработка на данный момент является самой быстрой в своем классе, превосходя существующие решения. Для сравнения, видеокарты серии RTX 50 оснащаются модулями памяти по 2 Гбайт с рабочими частотами в диапазоне 28–30 ГГц. Пока нет точной информации о коммерческом внедрении новой сверхбыстрой памяти в потребительские устройства. Специалисты предполагают, что подобные чипы могут найти применение в будущих поколениях графических ускорителей, таких как условная линейка RTX 60.

Ожидается, что модули объемом 3 Гбайт появятся в видеокартах RTX 50 Super, выход которых запланирован на 2026 год, однако вряд ли они получат столь высокие частотные характеристики. У самой Samsung и ее конкурентов уже есть разработки со скоростями 32–36 ГГц. Стоит отметить, что нынешнее признание заслуг стало для корпорации рекордным, двенадцатым по счету. Ранее президентскими наградами отмечали другие успехи производителя, включая создание 14-нанометровой памяти DDR5 и передовой флеш-памяти V-NAND.